“從未對(duì)創(chuàng)新懈怠，保持著一貫的技術(shù)迭代步伐?！边@是三菱電機(jī)半導(dǎo)體在60余年的漫長(zhǎng)征程里彰顯出來(lái)的企業(yè)氣質(zhì)。這家世界500強(qiáng)企業(yè)，始終保持著一顆低姿態(tài)、高標(biāo)準(zhǔn)、嚴(yán)要求的匠人心態(tài)，努力用產(chǎn)品說(shuō)話。
作為現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)拓者，自1921年以來(lái)，圍繞著變頻家電、工業(yè)、新能源、軌道牽引、電動(dòng)汽車五大應(yīng)用領(lǐng)域，以產(chǎn)品研發(fā)與技術(shù)創(chuàng)新為初心，三菱電機(jī)持續(xù)地推出一代又一代性能更優(yōu)、性價(jià)比更高的產(chǎn)品。如今，三菱電機(jī)研發(fā)推出的DIPIPMTM已成為變頻家電領(lǐng)域不可或缺重要組成部分，而且其高速機(jī)車用HVIGBT模塊也早已成為行業(yè)默認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)。
過(guò)去一年，在推出新品和產(chǎn)品迭代的基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)產(chǎn)品線更加全面。在新能源發(fā)電特別是光伏、風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域，三菱電機(jī)在2018年順利推出基于LV100封裝的新型IGBT模塊。通過(guò)不斷改善芯片技術(shù)，在軌道牽引應(yīng)用領(lǐng)域，X系列HVIGBT不僅拓寬了安全工作區(qū)域度，提升了電流密度，而且增強(qiáng)了抗?jié)穸群涂鼓遏敯粜?，從而進(jìn)一步提高了牽引變流器現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行的可靠性。而在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，直接水冷型J1系列Pin-fin模塊憑借封裝小、內(nèi)部雜散電感低的獨(dú)特性能，獲得了市場(chǎng)青睞。
6月26日，PCIM亞洲展2019在上海世博展覽館隆重舉行，三菱電機(jī)半導(dǎo)體以其六十多年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)和積淀為我們帶來(lái)全新的技術(shù)盛宴。在此次展會(huì)上，三菱電機(jī)帶來(lái)了19款功率模塊并重點(diǎn)展示了表面貼裝型IPM、大型DIPIPM+TM、X系列HVIGBT、和SiC MOSFET分立器件、全SiC高壓模塊5款新型功率模塊。其中SiC MOSFET分立器件和全SiC高壓模塊是國(guó)內(nèi)首次展出。
在媒體發(fā)布會(huì)上，三菱電機(jī)就最新的Si功率芯片、SiC功率芯片技術(shù)，面向家電、汽車、牽引和工業(yè)應(yīng)用的新型功率模塊，以及下一代產(chǎn)品布局進(jìn)行了全面的闡述。
拳頭產(chǎn)品持續(xù)引領(lǐng)行業(yè)方向
目前，國(guó)家對(duì)于家電變頻化率要求越來(lái)越高，變頻家電市場(chǎng)份額也在快速增長(zhǎng)，對(duì)處在變頻家電產(chǎn)業(yè)鏈上游的功率半導(dǎo)體企業(yè)來(lái)說(shuō)，也將迎來(lái)一個(gè)全新的市場(chǎng)機(jī)遇期。
“可以說(shuō)，三菱電機(jī)在家電領(lǐng)域已經(jīng)是領(lǐng)導(dǎo)者，為了持續(xù)保持領(lǐng)先地位，三菱電機(jī)根據(jù)不同產(chǎn)品的細(xì)化提供更多的產(chǎn)品線迎合客戶的要求?！?三菱電機(jī)半導(dǎo)體事業(yè)本部首席技術(shù)官Dr.Gourab Majumdar說(shuō)，通過(guò)“做小”產(chǎn)品和“做大”功率兩個(gè)方向的延伸，三菱電機(jī)將進(jìn)一步鞏固自身在IPM及DIPIPMTM制造的經(jīng)驗(yàn)。
據(jù)悉，三菱電機(jī)進(jìn)攻小功率變頻市場(chǎng)主要是為了開(kāi)拓以空調(diào)風(fēng)機(jī)、冰箱和洗碗機(jī)等家電新消費(fèi)領(lǐng)域。去年，針對(duì)這一領(lǐng)域，三菱電機(jī)展出了用于變頻家電的小型封裝SLIMDIP-S/SLIMDIP-L，今年，三菱電機(jī)展出了更小封裝的表面貼裝型IPM，該產(chǎn)品采用RC-IGBT芯片實(shí)現(xiàn)更高的集成度，采用貼片封裝，使得IPM體積更??；內(nèi)置全面保護(hù)功能（包括短路/欠壓/過(guò)溫保護(hù)），可采用回流焊來(lái)降低生產(chǎn)成本。
表面貼裝型IPM
現(xiàn)在很多變頻空調(diào)在壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)上用了三菱的DIPIPMTM，在風(fēng)機(jī)驅(qū)動(dòng)上應(yīng)用比較少，所以通過(guò)導(dǎo)入原有客戶，三菱電機(jī)可以進(jìn)一步擴(kuò)展產(chǎn)品應(yīng)用。目前，三菱電機(jī)這種新型的表面貼裝型IPM已經(jīng)在家電市場(chǎng)中獲得客戶認(rèn)可。
大型DIPIPM+
DIPIPM+TM將DIPIPMTM系列產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域拓展至更高功率密度的交流傳動(dòng)上，可靠性進(jìn)一步提高，失效率大幅降低，減少了工程師開(kāi)發(fā)產(chǎn)品的周期。三菱電機(jī)半導(dǎo)體大中國(guó)區(qū)技術(shù)總監(jiān)宋高升進(jìn)一步解釋，因?yàn)榧闪讼嚓P(guān)的周邊器件，使得客戶可以將電路板做得更加簡(jiǎn)化，圍繞功率模塊的周邊器件數(shù)量減少。
搶占SiC市場(chǎng)制高點(diǎn)
SiC功率模塊由于有耐高溫、低功耗和高可靠性的特點(diǎn)，可以拓展更多應(yīng)用領(lǐng)域。對(duì)于以后開(kāi)拓新市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，SiC是最好的選擇。毋庸置疑的是，SiC已經(jīng)成為各企業(yè)爭(zhēng)相布局的下一個(gè)制高點(diǎn)。
據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，到2023年SiC功率市場(chǎng)總值將超過(guò)14億美元，2017年至2023年的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到29%。目前，SiC功率市場(chǎng)仍然主要受功率因數(shù)校正（PFC）和光伏（PV）應(yīng)用中使用的二極管驅(qū)動(dòng)。預(yù)計(jì)五年內(nèi)，驅(qū)動(dòng)SiC器件市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要因素將是MOSFET，該細(xì)分市場(chǎng)在2017~2023年期間的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到驚人的50%。
三菱電機(jī)是將SiC技術(shù)應(yīng)用于功率模塊的先驅(qū)之一，已經(jīng)發(fā)布了近三十款SiC功率模塊，包括Hybrid-SiC-IGBT模塊、Hybrid-SiC-IPM、Full-SiC-MOSFET模塊和Full-SiC-IPM等。其SiC功率模塊產(chǎn)品線涵蓋額定電流15A~1200A及額定電壓600V~3300V，目前均可提供樣品。
此次國(guó)內(nèi)首次展出的全SiC高壓半橋模塊（3.3kV/750A）也備受關(guān)注，其內(nèi)部包含SiC MOSFET及反并聯(lián)SiC肖特基二極管（SBD）。為了降低模塊封裝內(nèi)部電感（<10 nH）和提高并聯(lián)芯片之間的均流效果，這款模塊采用了一種被稱為L(zhǎng)V100全新的封裝，采用交直流分開(kāi)的主端子布局，利于并聯(lián)應(yīng)用并實(shí)現(xiàn)極低內(nèi)部雜散電感。
“這款前沿產(chǎn)品，必將推動(dòng)國(guó)內(nèi)鐵道牽引、電力傳輸和固態(tài)變壓器領(lǐng)域新一輪高功率密度變換器的研究和開(kāi)發(fā)?！?在此前接受采訪時(shí)，三菱電機(jī)半導(dǎo)體大中國(guó)區(qū)技術(shù)總監(jiān)宋高升說(shuō)。
早在2013年，三菱電機(jī)供軌道交通車輛使用、搭載3.3kV的全SiC功率模塊便已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化，其后，三菱電機(jī)一直堅(jiān)持致力于推廣更節(jié)能的SiC功率模塊以逐步取代傳統(tǒng)的Si功率模塊。與Si-IGBT模塊相比，F(xiàn)MF750DC-66A具有更低的開(kāi)關(guān)損耗，其Eon相對(duì)降低了61%，Eoff則相對(duì)減小了95%。
FMF750DC-66A
在車載充電器（OBC）、PFC、光伏發(fā)電應(yīng)用領(lǐng)域，SiC SBD和SiC MOSFET兩款分立器件產(chǎn)品同樣值得期待。目前，電動(dòng)汽車市場(chǎng)需求與日俱增，而通常所說(shuō)的電動(dòng)汽車包括電動(dòng)乘用車和電動(dòng)大巴。電動(dòng)乘用車?yán)锒鄠€(gè)地方需要用到功率器件，包括主驅(qū)變頻器、OBC、助力轉(zhuǎn)向等。三菱電機(jī)正在電動(dòng)乘用車和電動(dòng)大巴這兩大市場(chǎng)同時(shí)發(fā)力，以進(jìn)一步拓展功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域。
SiC SBD正向壓降低，具有更高I2t，對(duì)抗浪涌電流有更強(qiáng)的能力；此外，該產(chǎn)品還具有更強(qiáng)的高頻開(kāi)關(guān)特性，可以使周邊器件小型化(如電抗器)，可應(yīng)用于車載電子產(chǎn)品。
而SiC MOSFET采用第2代SiC工藝，溝槽柵型結(jié)構(gòu)，具有低Ron和低反向恢復(fù)損耗，適合更高開(kāi)關(guān)頻率，既可應(yīng)用于于工業(yè)級(jí)產(chǎn)品，也可應(yīng)用于車載級(jí)產(chǎn)品。
未來(lái)，三菱電機(jī)將基于第2代溝槽型SiC-MOSFET芯片（6英寸）的SiC功率模塊實(shí)現(xiàn)可批量生產(chǎn)，并逐步完善600V、1200V、1700V系列。與此同時(shí)，將應(yīng)用SBD嵌入式平板型SiC芯片技術(shù)開(kāi)發(fā)新一代3.3kV和6.5kV高壓SiC-MOSFET模塊。
2019年，大功率的半導(dǎo)體器件都處于缺貨的狀態(tài)，交貨很緊。對(duì)于此， Dr. Gourab Majumdar表示，三菱電機(jī)除了自己投產(chǎn)建立晶圓廠之外，也正在找尋一些代工廠幫助其加工一些晶圓的工序，保證持續(xù)穩(wěn)定的供貨。事實(shí)上，與2016年、2017年相比較，2019年三菱電機(jī)的投資金額增長(zhǎng)了2倍，對(duì)于未來(lái)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，Dr.Gourab Majumdar很有信心。
在2018年度，三菱電機(jī)以位于日本熊本和中國(guó)的主力工廠為中心進(jìn)行了投資。計(jì)劃到2022年度，以功率半導(dǎo)體為中心的功率器件業(yè)務(wù)力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)2000億日元銷售。
順應(yīng)IGBT的發(fā)展趨勢(shì)，從第一代IGBT到第七代IGBT，三菱電機(jī)不斷推陳出新，晶圓越來(lái)越薄，柵極與柵極之間距離越來(lái)越近，產(chǎn)品越來(lái)越小型化，實(shí)現(xiàn)小封裝大電流產(chǎn)品的提升。Dr.Gourab Majumdar稱三菱電機(jī)下一代超級(jí)薄的晶圓會(huì)把性能指數(shù)調(diào)整得更高。
以“信賴、質(zhì)量、技術(shù)、貢獻(xiàn)、手法、環(huán)境、發(fā)展”為行動(dòng)方針，以“Changes for the Better”為企業(yè)宣言，以持續(xù)不斷地創(chuàng)新精神為驅(qū)動(dòng)力，通過(guò)技術(shù)賦能，用產(chǎn)品說(shuō)話，成就了三菱電機(jī)在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司簡(jiǎn)介
三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)集團(tuán)。在2018年的《財(cái)富》500強(qiáng)排名中，名列第279。
作為一家技術(shù)主導(dǎo)型的企業(yè)，三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)領(lǐng)先技術(shù)，并憑強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)著重要的地位。
三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司把弘揚(yáng)國(guó)人智慧，開(kāi)創(chuàng)機(jī)電新紀(jì)元視為責(zé)無(wú)旁貸的義務(wù)與使命。憑借優(yōu)越的技術(shù)與創(chuàng)造力貢獻(xiàn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以促進(jìn)社會(huì)繁榮。
三菱電機(jī)半導(dǎo)體產(chǎn)品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、SiC MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品，其中三菱功率模塊在電機(jī)控制、電源和白色家電的應(yīng)用中有助于您實(shí)現(xiàn)變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數(shù)字通訊、有線/無(wú)線通訊等應(yīng)用中提供解決方案。
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